A Samsung Electronics alcançou um avanço significativo no mercado de memória de alta largura de banda, com sua memória HBM4 de próxima geração superando os concorrentes em testes de velocidade e eficiência de energia para o próximo acelerador Vera Rubin AI da Nvidia, de acordo com Jornal de negócios Maeil. Durante uma visita na semana passada, representantes da Nvidia confirmaram que a Samsung apresentou “os melhores resultados na indústria de memória”, o que levou a um pedido de volumes de fornecimento que excederam em muito as projeções internas da Samsung. Este sucesso marca uma reversão dramática em relação à geração HBM3E, onde a Samsung ficou quase um ano atrás dos rivais. A reviravolta é atribuída a uma estratégia técnica de alto risco em que a Samsung ignorou totalmente o processo DRAM D1b para avançar diretamente para o processo D1c de 10 nanômetros. Ao combinar esta nova DRAM com matrizes lógicas produzidas usando um processo de fundição de 4 nanômetros, a Samsung se tornou o primeiro fabricante a atingir velocidades de transferência de dados superiores a 11 gigabits por segundo. Embora a SK hynix mantenha uma liderança de cerca de três meses – já tendo começado a fornecer amostras pagas – a Samsung conseguiu diminuir a diferença em relação à geração anterior. Os dados de mercado refletem esta recuperação, com a Samsung recuperando o segundo lugar no mercado HBM durante o terceiro trimestre de 2025, com uma participação de 22%, ultrapassando a Micron. Espera-se que os contratos sejam formalizados no primeiro trimestre de 2026, com entregas em grande escala programadas para o segundo trimestre para atender ao cronograma da Nvidia para o Vera Rubin lançamento da plataforma no terceiro trimestre de 2026.
